一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法，目的是提供一种铜纳米线/铜膜复合结构及其磁控溅射制备方法。本发明采用小沉积角度的直流磁控溅射掠射沉积技术，通过适当调节薄膜厚度、衬底温度和衬底偏压，在玻璃衬底上制备了一种铜纳米线/铜膜复合结构。本发明所提供的铜纳米线/铜膜复合结构中，铜纳米线表面光滑、径向粗细均匀，长度为0.1～5mm、直径为100～500nm，铜膜的厚度为50～100nm。而且，铜纳米线平行于铜膜表面、镶嵌在厚度比铜纳米线直径还小的铜膜中。本发明在金属铜膜表面镶嵌了亚波长的铜纳米线，这在与表面等离子体相关的领域可能具有潜在应用前景。

主权项

一种铜纳米线/铜膜复合结构，其特征在于：铜纳米线表面光滑，径向粗细均匀，长度为0.1～5 mm、直径为100～500 nm，铜膜的厚度为50～100 nm，铜纳米线平行于铜膜表面并镶嵌在铜膜中。