光掩膜的铬金属膜去除方法

摘要

一种光掩膜的铬金属膜去除方法，包括石英基板、以及依次镀在石英基板上的相位偏移膜及铬金属膜，该方法包括：在铬金属膜上涂布第一光刻胶层后，进行光掩膜图形的图案化；以图案化的光刻胶层作为保护层，刻蚀铬金属膜形成光掩膜图形，去除第一光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，干法刻蚀相位偏移膜形成相位偏移光掩膜图形；在铬金属膜以及相位偏移膜上涂布第二光刻胶层后，进行铬金属膜所需图形的图案化；以图案化的第二光刻胶层作为保护层，湿法刻蚀铬金属膜形成铬金属膜所需图形后，再以图案化的第二光刻胶层作为保护层，干法刻蚀残留的铬金属膜，去除光刻胶层。本发明在不耗费大量的时间和成本的前提下将光掩膜的铬金属膜去除干净。

主权项

一种光掩膜的铬金属膜去除方法，所述光掩膜包括石英基板、以及依次镀在石英基板上的相位偏移膜及铬金属膜，该方法包括：在铬金属膜上涂布第一光刻胶层后，进行光掩膜图形的图案化；以图案化的光刻胶层作为保护层，刻蚀铬金属膜形成光掩膜图形，去除第一光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，干法刻蚀相位偏移膜形成相位偏移光掩膜图形；在铬金属膜以及相位偏移膜上涂布第二光刻胶层后，进行铬金属膜所需图形的图案化；以图案化的第二光刻胶层作为保护层，湿法刻蚀铬金属膜形成铬金属膜所需图形后，再以图案化的第二光刻胶层作为保护层，干法刻蚀残留的铬金属膜，去除光刻胶层；所述再以图案化的第二光刻胶层作为保护层，干法刻蚀铬金属膜在反应室完成，所述反应室通入的干法刻蚀铬金属膜气体为氯气、氧气和氦气，所述氯气通入反应室的剂量为20～200毫升/分钟；所述氧气通入反应室的剂量为1～100毫升/分钟；所述氦气通入反应室的剂量为1～100毫升/分钟，所述反应室的压力为6～10毫托；反应室内的垂直射频功率范围为10～500瓦特；反应室内的横向射频功率范围为400～800瓦特。