| 发明名称 | 制作栅氧化层和栅极多晶硅层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作栅氧化层和栅极多晶硅层的方法，包括：在产品晶圆和控片晶圆的半导体衬底硅上同时生长栅氧化层；在所述产品晶圆的栅氧化层表面沉积栅极多晶硅层；在线测量产品晶圆栅极多晶硅层的厚度，离线(offline)测量控片晶圆上栅氧化层的厚度。采用该方法能够防止栅氧化层在测量过程中暴露在空气里而被氧化。 | ||
| 申请公布号 | CN101958242B | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN200910055154.X | 申请日期 | 2009.07.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐兆云;何有丰 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种制作栅氧化层和栅极多晶硅层的方法，包括：在产品晶圆和控片晶圆的半导体衬底硅上同时生长栅氧化层；在所述产品晶圆的栅氧化层表面沉积栅极多晶硅层；在线测量产品晶圆栅极多晶硅层的厚度，离线offline测量控片晶圆上栅氧化层的厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||