| 发明名称 | 复位电路以及具备该复位电路的装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种复位电路以及具备该复位电路的装置，所述复位电路即使电源电压为极低电压状态也能够防止复位被解除。复位电路具备：作为N沟道MOSFET的晶体管(N0)；根据电源电压(VDD)超过应该解除复位的预定的阈值(Vth)而将晶体管(N0)从导通变为截止，由此将晶体管(N0)的漏极电压从表示复位状态的低电平切换为表示复位解除状态的高电平的栅极驱动电路(A1)，其中，具备吸收电路(A2)，其通过吸收流过晶体管(N0)的漏极侧的电流(I)，将晶体管(N0)的漏极电压维持为低电平；以及切断电路(A3)，其当电源电压(VDD)超过阈值(Vth)时切断由吸收电路(A2)吸收电流(I)。 | ||
| 申请公布号 | CN102347753A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201110215357.8 | 申请日期 | 2011.07.25 |
| 申请人 | 三美电机株式会社 | 发明人 | 平井胜 |
| 分类号 | H03K17/22(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 曾贤伟;范胜杰 |
| 主权项 | 一种复位电路，具备N沟道MOSFET和栅极驱动电路，该栅极驱动电路根据电源电压超过应该解除复位的预定的阈值而将所述N沟道MOSFET从导通变为截止，由此，将所述N沟道MOSFET的漏极电压从表示复位状态的低电平切换为表示复位解除状态的高电平，所述复位电路的特征在于，具备：吸收电路，其吸收流过所述N沟道MOSFET的漏极侧的电流，由此将所述漏极电压维持为低电平；以及切断电路，其当所述电源电压超过所述阈值时，切断由所述吸收电路吸收所述电流。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||