| 发明名称 | 降低多晶硅片翘曲度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的方法，其特征在于，向反应炉管内通入硅烷气体，在反应炉管内温度为600℃～680℃下，在硅片表面生长多晶硅薄膜。本发明通过选择合适的装置和方法，在硅片表面生长多晶薄膜后，WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。 | ||
| 申请公布号 | CN102345166A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201110231809.1 | 申请日期 | 2011.08.14 |
| 申请人 | 上海合晶硅材料有限公司 | 发明人 | 江笠 |
| 分类号 | C30B28/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B28/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 降低多晶硅片翘曲度的方法，其特征在于，向反应炉管内通入硅烷气体，在反应炉管内温度为600℃～680℃下，在硅片表面生长多晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 201617 上海市松江区贵南路500号 | ||