发明名称 |
半导体器件的制作方法 |
摘要 |
一种半导体器件的制作方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构用于界定伪有源区和有源区;在所述半导体衬底上形成阻挡层,所述伪有源区的上表面与所述阻挡层上表面之间的距离为第一厚度,所述伪有源区的横向宽度小于第一厚度的1.4倍。本发明可以避免去除CMP之后,伪有源区上的阻挡层中存在残留。 |
申请公布号 |
CN102347268A |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN201110335666.9 |
申请日期 |
2011.10.28 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
顾靖 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构用于界定伪有源区和有源区;在所述半导体衬底上形成阻挡层,所述伪有源区的上表面与所述阻挡层上表面之间的距离为第一厚度,所述伪有源区的横向宽度小于第一厚度的1.4倍。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 |