发明名称 半导体存储装置以及将半导体存储装置的字线放电的方法
摘要 本发明涉及一种半导体装置、一种半导体存储装置以及一种将多个字线放电的方法。在一个示例性的实施例中,所述半导体装置可以包括多个线,在所述多个线中,选中的线由第一控制电压来驱动,未选中的线由电平比第一控制电压的电平低的第二控制电压来驱动。所述装置还可以包括放电控制单元,所述放电控制单元被配置为在选中的线的放电节点与未选中的线的共用放电节点之间形成放电电流通道,并且在放电节点与共用放电节点之间引起预定的电压差;以及共用放电单元,所述共用放电单被配置为将流经放电电流通道的电流放电。
申请公布号 CN102347071A 申请公布日期 2012.02.08
申请号 CN201110055908.9 申请日期 2011.03.09
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 李在浩
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 郭放;张文
主权项 一种半导体装置,包括:多个线,所述多个线具有选中的线和未选中的线,所述选中的线由第一控制电压来驱动,所述未选中的线由第二控制电压来驱动,所述第二控制电压比所述第一控制电压低;放电控制单元,所述放电控制单元被配置为在所述选中的线的放电节点与所述未选中的线的共用放电节点之间形成放电电流通道,并在所述放电节点与所述共用放电节点之间引起预定的电压差;以及共用放电单元,所述共用放电单元被配置为将流经所述放电电流通道的电流放电。
地址 韩国京畿道