发明名称 具有荧蒽大环物质的OLED器件
摘要 本发明提供了一种OLED器件,所述器件包括阴极、阳极并具有在二者之间的发光层,并且还包括在所述阴极和所述发光层之间的第一层,所述第一层含有荧蒽大环化合物。所述荧蒽大环化合物包含7,10-位通过连接基团连接的荧蒽核。所述荧蒽核能够被进一步取代,条件是8-位和9-位上的取代基不能结合而形成五元环基团。所述OLED器件在所述发光层和所述阴极之间包括至少一个含有碱金属物质的层。期望的是,所述OLED器件包含存在于所述第一层中或存在于位于所述阴极与所述第一层之间的第二层中的碱金属物质。所述OLED器件除了所述荧蒽大环化合物之外还包含存在于所述第一层中的蒽衍生物。本发明的器件提供了诸如效率和驱动电压等改进的特征。
申请公布号 CN102349129A 申请公布日期 2012.02.08
申请号 CN201080011657.8 申请日期 2010.02.12
申请人 全球OLED科技有限责任公司 发明人 W·J·贝格里;娜塔莎·安德里夫斯基
分类号 H01J1/62(2006.01)I 主分类号 H01J1/62(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;庞东成
主权项 一种OLED器件,所述器件包括:阴极、阳极并具有在二者之间的发光层,并且还包括在所述发光层和所述阴极之间的第一层,所述第一层包含荧蒽大环化合物,所述荧蒽大环化合物包含7,10‑位通过连接基团连接的荧蒽核,并且其中所述荧蒽核能够被进一步取代,条件是8‑位和9‑位上的取代基不能结合而形成五元环基团;并且其中所述OLED器件在所述发光层和所述阴极之间包括至少一个含有碱金属物质的层。
地址 美国特拉华州