| 发明名称 | 等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在等离子体中，从而将所述绝缘膜改性的工序，其中所述等离子体是基于经过天线部件的微波照射而由处理气体生成的，其中，所述处理气体包括稀有气体，和氧气、氮气以及氢气中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN101752244B | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN200910253426.7 | 申请日期 | 2002.01.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 菅原卓也;中西敏雄;尾﨑成则;松山征嗣;村川惠美;多田吉秀 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 宋鹤;南霆 |
| 主权项 | 一种等离子体处理方法，包括：在衬底上形成绝缘膜的工序；和将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在由处理气体生成的等离子体中，将所述绝缘膜改性的工序；其中，所述处理气体包括稀有气体和氢，以及氧气或氮气，所述绝缘膜在室温至700℃的温度下被进行改性，并且，所述绝缘膜在20～5000mTorr的压力下被进行改性。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||