| 发明名称 | 片上毫米波蓝吉耦合器 | ||
| 摘要 | 一种蓝吉耦合器，其在第一层级上具有第一多条导线(210、220)以及在第二层级上具有第二多条导线(230、240)。所述第一层级上的至少一条导线经由穿越所述第一和第二多条导线的电磁波(250、260、270、280)而交错耦合至所述第二层级上的相应导线。所述第一和第二多条导线可以由金属制成，并且所述第一层级可以高于所述第二层级。可提供基板(200)，在所述基板(200)中蚀刻所述第一和第二多条导线以限定片上蓝吉耦合器。 | ||
| 申请公布号 | CN102349188A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201080011365.4 | 申请日期 | 2010.02.25 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 丁汉屹;K·H·林 |
| 分类号 | H01P5/18(2006.01)I;H03D3/00(2006.01)I;H03F3/60(2006.01)I | 主分类号 | H01P5/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种蓝吉耦合器，包括：在第一层级上的第一多条导线；以及在第二层级上的第二多条导线，其中所述第一层级上的至少一条导线交错耦合至所述第二层级上的相应导线。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||