一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中推广和应用。

主权项

一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备；其中，所述将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上的步骤，具体包括：将原生长ZnO纳米线的玻璃衬底放在异丙醇中经过超声波降解，降解后ZnO纳米线大部分从原玻璃衬底脱离并分散在异丙醇溶液中；采用滴管将ZnO纳米线滴到所述布满源漏金属的场效应晶体管衬底上，实现将ZnO纳米线沉积在该场效应晶体管衬底上。