外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法

摘要

本发明的目的可通过用于制造外延涂覆的硅晶片的第一种方法来实现，其中提供多个至少在正面上经过抛光的硅晶片，并随后在外延反应器内均单独进行涂覆，这是通过以下步骤实施的，其中将所提供的硅晶片均放置在外延反应器内的基座上，在第一步骤中仅在氢气氛下实施预处理，以及在第二步骤中在向所述氢气氛中加入流速为1.5-5slm的蚀刻介质的情况下实施预处理，在两个步骤中氢气流速均为1-100slm，随后在其经抛光的正面上实施外延涂覆，并从外延反应器中取出。在根据本发明的第二种方法中，通过注射器引入反应室内的气流可以利用阀门分配到反应室的外区和内区中，使得内区中的气流作用在硅晶片中心周围的区域上，外区中的气流作用在硅晶片的边缘区域上，蚀刻介质在内区和外区中的分布为I/O＝0-0.75。本发明可以制造一种硅晶片，其具有正面和背面，其中至少其正面经过抛光且至少其正面上涂覆有外延层，相对于2mm的边缘排除部分，其总体平直度值GBIR为0.02-0.06μm。

主权项

用于制造外延涂覆的硅晶片的方法，其中提供多个至少其正面上经过抛光的硅晶片，并随后在外延反应器内均单独进行涂覆，这是通过以下步骤实施的，其中将所提供的硅晶片均放置在外延反应器内的基座上，在第一步骤中仅在氢气氛下实施预处理，以及在第二步骤中在向所述氢气氛中加入流速为1.5‑5slm的蚀刻介质的情况下实施预处理，在两个步骤中氢气流速均为1‑100slm，随后在其经抛光的正面上实施外延涂覆，并从外延反应器中取出。