| 发明名称 | 一种MOCVD加热装置、其形成方法和一种MOCVD形成薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOCVD加热装置形成方法，包括：提供MOCVD加热部，所述加热部具有上表面，所述上表面用于放置待沉积薄膜的基底；形成覆盖所述加热部上表面的隔离层；去除所述隔离层的杂质元素。本发明还提供一种所述MOCVD加热装置形成方法所形成的加热装置，及使用所述加热装置进行MOCVD形成薄膜的方法，以解决对位于加热部上的基底进行膜层基底时，出现的膜层厚度不均匀的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102345114A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201010245306.5 | 申请日期 | 2010.07.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 钟飞;蒋剑勇;林艺辉;欧阳东;李志超 |
| 分类号 | C23C16/46(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOCVD加热装置形成方法，其特征在于，包括：提供MOCVD加热部，所述加热部具有上表面，所述上表面用于放置待沉积薄膜的基底；形成覆盖所述加热部上表面的隔离层；去除所述隔离层的杂质元素。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||