| 发明名称 | 具有金属栅的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括形成在衬底之上且具有高介电常数的栅绝缘层、形成在栅绝缘层之上的栅、和形成在衬底与栅绝缘层之间并诱发栅电极的功函数偏移的功函数控制层。 | ||
| 申请公布号 | CN102347362A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201110130247.1 | 申请日期 | 2011.05.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 池连赫;金泰润;李承美;朴祐莹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;张文 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅绝缘层，所述栅绝缘层被形成在衬底之上且具有高介电常数；栅电极，所述栅电极被形成在所述栅绝缘层之上；以及功函数控制层，所述功函数控制层被形成在所述衬底与所述栅绝缘层之间并诱发所述栅电极的功函数偏移。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||