涂敷处理方法、程序、计算机存储介质和涂敷处理装置

摘要

本发明提供一种涂敷处理方法和涂敷处理装置，在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。具体而言，给旋转中的晶片上供给溶剂，使晶片以第六转速旋转使溶剂扩散(工序S1)。使晶片的旋转加速到第一转速，使晶片以第一转速旋转(工序S2)。使晶片的旋转减速到第二转速，使晶片W以第二转速旋转(工序S3)。使晶片的旋转进一步加速到第三转速，使晶片以第三转速旋转(工序S4)。使晶片的旋转减速到第四转速超过0rpm并在500rpm以下，使晶片以第四转速旋转1～10秒(工序S5)。使晶片的旋转加速到第五转速，使晶片以第五转速旋转(工序S6)。在从工序S2到工序S3的途中，或者工序S2中对晶片的中心连续供给抗蚀剂液。

主权项

一种涂敷处理方法，是将涂敷液涂敷在基板上的方法，该涂敷处理方法的特征在于，包括：使基板以第一转速旋转的第一工序；之后，使基板的旋转减速，使基板以比第一转速慢的第二转速旋转的第二工序；之后，使基板的旋转加速，使基板以比第二转速快且比第一转速慢的第三转速旋转的第三工序；之后，使基板的旋转减速，使基板以比第三转速慢的第四转速旋转的第四工序；和之后，使基板的旋转加速，使基板以比第四转速快的第五转速旋转的第五工序，对基板中心部的涂敷液的供给从所述第一工序到所述第二工序的中途连续实施，或者在所述第一工序期间连续实施，所述第四转速超过0rpm并在500rpm以下。