微晶半导体膜的制作方法及半导体装置的制作方法

摘要

本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。

主权项

一种微晶半导体膜的形成方法，包括：在氢的流量为含有硅的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下并且处理室内的压力为大于1333Pa且13332Pa以下的第一条件下，通过等离子体CVD法在绝缘膜上形成晶种；以及在氢的流量为含有硅的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下并且所述处理室内的压力为1333Pa以上13332Pa以下的第二条件下，通过等离子体CVD法在所述晶种上形成微晶半导体膜。