| 发明名称 | 半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。 | ||
| 申请公布号 | CN102347264A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201110185003.3 | 申请日期 | 2011.06.30 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 |
| 分类号 | H01L21/68(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/68(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在所述切割带上的粘合剂层，所述多个粘贴粘合剂层的切割带以所述粘合剂层粘贴至所述隔离膜的方式以预定间隔层压在所述隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿所述切割带的外周形成的切口，和其中所述切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||