集成电路3D存储器阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路3D存储器阵列及其制造方法。该3D存储器元件是基于电极柱阵列及多个电极平面，所述多个电极平面在界面区与所述电极柱相交，所述界面区包含存储器构件，所述存储器构件包括可编程构件及整流器。可使用二维译码来选择所述电极柱，且可使用第三维上的译码来选择所述多个电极平面。

主权项

一种存储器元件，其特征在于，包括：集成电路基板，包含存取元件阵列；多个导电层，通过绝缘层而彼此分离且与所述存取元件阵列分离；电极柱阵列，其延伸穿过所述多个导电层，该电极柱阵列中的电极柱接触所述存取元件阵列中的对应存取元件，且界定该电极柱与所述多个导电层中的导电层之间的界面区；以及存储器构件在于所述界面区，所述存储器构件中的每一者包括可编程构件及整流器。