ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的p-GaN外延层、Zn1-xMgxO电流下限制层、n-ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。

主权项

一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上制备的p型GaN外延层(2)、p型GaN外延层(2)上制备的Zn1‑xMgxO电流下限制层(3)、Zn1‑xMgxO电流下限制层(3)上制备的n型ZnO基材料发光层(4)、n型ZnO基材料发光层(4)上面制备的上电极(6)构成，其中x＝0.05～1，其特征在于：衬底(1)是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层(2)的导电类型相同，同时在衬底(1)的下面制备有下电极(5)；由芯片解理的前、后端面构成前反射镜(8)和后反射镜(9)，激光器在前反射镜(8)和后反射镜(9)出光。