等离子体处理方法以及等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对将抗蚀剂膜作为掩模的防反射膜进行蚀刻工序之前，使抗蚀剂膜良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成作为防反射膜的Si-ARC(15)而在防反射膜上形成图案形成后的ArF抗蚀剂膜(16)而成的层叠膜，使用从蚀刻气体生成的等离子体来将上述抗蚀剂膜作为掩模对上述防反射膜进行蚀刻；以及改性工序，在上述蚀刻工序之前，执行对等离子体处理装置导入含有CF4气体、COS气体以及Ar气体的改性用气体，用从该改性用气体生成的等离子体使ArF抗蚀剂膜(16)改性。

主权项

一种等离子体处理方法，其特征在于，包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成防反射膜且在上述防反射膜上形成图案化后的抗蚀剂膜而得到的层叠膜，使用从蚀刻气体生成的等离子体将上述抗蚀剂膜作为掩模对上述防反射膜进行蚀刻；以及改性工序，在上述蚀刻工序之前执行，向等离子体处理装置内导入含有CF4气体、COS气体以及惰性气体的改性用气体，使用从该改性用气体生成的等离子体使上述抗蚀剂膜改性。