发明名称 | 可变电阻存储器件 | ||
摘要 | 在此公开了可变电阻存储器件,包括:存储单元阵列,其采用多个存储单元,每一个存储单元均包括具有根据施加到存储元件的电压的方向而变化的电阻的存储元件并且包括在位线和源线之间与所述存储元件串联连接的存取晶体管;以及电压提供电路,用于在将读电压提供到所选择的位线的操作中,设置对于读出连接到用作读对象的所述存储单元的所选择的位线上的所述存储元件的电阻所使用的读电压。 | ||
申请公布号 | CN102347064A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
申请号 | CN201110216870.9 | 申请日期 | 2011.07.29 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 北川真;吉原宏 |
分类号 | G11C7/18(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 郭定辉 |
主权项 | 一种可变电阻存储器件,包含:存储单元阵列,其采用多个存储单元,每一个存储单元均包括:存储元件,其具有根据施加到所述存储元件的电压的方向而变化的电阻;以及存取晶体管,其在位线和源线之间以串联方式连接至所述存储元件;和电压提供电路,其用于通过将电荷预充电至任何任意数量的公共线和任何任意数量的所述位线中的至少一条,其中所述任何任意数量的公共线的每一条均连接到多条所述位线作为对于所述位线公共的公共线,并且通过将所述预充电的电荷放电到任何任意数量的其它所述位线,其中所述任何任意数量的其它所述位线包括所选择的位线,以便在电荷共享处理中共享所述电荷,从而在将读电压提供到所述所选择的位线的操作中设置所述读电压,读电压用于读出连接到用作读对象的所述存储单元的所述所选择的位线上的所述存储元件的所述电阻。 | ||
地址 | 日本东京都 |