| 发明名称 | 一种利用胶态硅纳米颗粒对硅片进行掺杂的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用胶态硅纳米颗粒对硅片进行掺杂的方法，包括以下步骤：对掺杂的纳米硅颗粒表面进行修饰，将表面经过修饰的硅颗粒分散在溶剂中，制得胶态硅纳米颗粒；使胶态硅纳米颗粒在表面经过去污和氧化层去除预处理的硅片上成膜，先在200-500℃下首次热处理5-60分钟，随后在750-1100℃、在含氧气氛下再次热处理30-120分钟，在硅片的近表面形成掺杂层。本发明所选原料中硅元素在地壳里的含量非常大，易得、无毒。同时，胶态硅纳米颗粒的应用使对硅片掺杂的工艺简化，能简便的实现选区掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN102347223A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201110298670.2 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 皮孝东;高煜;杨德仁 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01)I;C30B31/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/225(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种利用胶态硅纳米颗粒对硅片进行掺杂的方法，其特征在于，包括以下步骤：对掺杂的纳米硅颗粒表面进行修饰，将表面经过修饰的硅颗粒分散在溶剂中，制得胶态硅纳米颗粒；使胶态硅纳米颗粒在表面经过去污和氧化层去除预处理的硅片上成膜，先在200‑500℃下首次热处理5‑60分钟，随后在750‑1100℃、在含氧气氛下再次热处理30‑120分钟，在硅片的近表面形成掺杂层。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||