发明名称 改进型三极管引线框架
摘要 本实用新型公开一种改进型三极管引线框架,包括具有若干个框架单元的框架本体,相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接,每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚,所述的芯片部的厚度为0.8mm,所述的散热部的厚度为0.5mm,三个所述的管脚的厚度为0.5mm,每个所述的框架单元均为一体成型。本实用新型的引线框架的芯片部的厚度大于散热部的厚度,使得在受到外力时框架不易产生变形,也就消除了由于框架受外力变形而导致芯片脱离的现象,使得该框架更适用于较大型的芯片。
申请公布号 CN202142524U 申请公布日期 2012.02.08
申请号 CN201120263186.1 申请日期 2011.07.25
申请人 吴江恒源金属制品有限公司 发明人 杨承武;朱成明;张荣才
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 孙仿卫
主权项 一种改进型三极管引线框架,包括具有若干个框架单元的框架本体,相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接,每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚,其特征在于:所述的芯片部的厚度为0.8mm,所述的散热部的厚度为0.5mm,三个所述的管脚的厚度为0.5mm,每个所述的框架单元均为一体成型。
地址 215234 江苏省苏州市吴江市七都镇港东开发区