发明名称 |
具有多个等离子体反应区域的包括多个处理平台的等离子体反应室 |
摘要 |
一种等离子体反应室包括反应室主体,于反应室主体内设置多个处理平台。每一个处理平台内设置有一个可旋转的基片支座。每一个基片支座上方设置有一个与等离子参与反应区同位的等离子体生成区,在每一个所述的同位的等离子体生成区的上方相邻地设置有一个相应的相邻等离子体生成区,并且该同位等离子体生成区与该相应的相邻等离子体生成区相连通。射频能量源与每一个相邻等离子体生成区相连接。 |
申请公布号 |
CN101451237B |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN200710171405.1 |
申请日期 |
2007.11.30 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
陈爱华;刘忆军;陈金元;罗力;倪图强;尹志尧;何乃明 |
分类号 |
C23C16/50(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;B01J19/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种等离子体反应室,包括:反应室主体;可旋转的基片支座,其设置于所述反应室主体内;第一气体传递分布装置;第二气体传递分布装置,其与所述第一气体传递分布装置相互间隔开,并且与所述第一气体传递分布装置和所述反应室主体相互电绝缘,其中在第一气体传递分布装置与第二气体传递分布装置之间构成一相邻等离子体生成区,在第二气体传递分布装置和基片支座之间构成一与等离子参与反应区同位的等离子体生成区,所述第一气体传递分布装置将一第一处理气体输送至该相邻等离子体生成区,所述第二气体传递分布装置将一第二处理气体输送至该与等离子参与反应区同位的等离子体生成区,所述第二气体传递分布装置还将来自相邻等离子体生成区的等离子体粒子输送至与等离子参与反应区同位的等离子体生成区;第一处理气体的气体供应源,其提供所述第一处理气体,并连接于所述第一气体传递分布装置;第二处理气体的气体供应源,其提供所述第二处理气体,并连接于所述第二气体传递分布装置;其中,所述第一处理气体和所述第二处理气体分别沿两种反应气体路径传输并保持相互隔离,直至逸出所述第二气体传递分布装置;射频源,其与所述第一气体传递分布装置相连接;以及切换装置,用于将第二气体传递分布装置选择性地连接至射频源或接地.所述第二气体传递分布装置还包括一个缓冲板,用于均匀扩散、分布第二处理气体。 |
地址 |
201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |