| 发明名称 | 半导体器件及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及一用于此半导体器件的栅极堆叠的制造方法。此器件包括一栅极堆叠，其具有一设置于此器件的沟道区上的栅极绝缘层及一借由此栅极绝缘层与沟道区绝缘的金属层。此金属层包含功函数调控杂质，其具有从源极区至漏极区沿着金属层的长度而变化的浓度轮廓。栅极堆叠在此器件的源极区和/或漏极区附近具有一第一有效功函数，及在朝向该沟道区的处具有一不同于第一有效功函数的第二有效功函数。 | ||
| 申请公布号 | CN102349133A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN200980157988.X | 申请日期 | 2009.11.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 马库斯·慕勒;瑞格胡那斯·辛加那马拉 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;郑特强 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：一源极区及一漏极区；一沟道区，在该源极区及该漏极区之间延伸；以及一栅极堆叠，包括：一栅极绝缘层，设置于该沟道区上；及一金属层，借由该栅极绝缘层与该沟道区绝缘，其中该金属层包含功函数调控杂质，其具有从该源极区至该漏极区沿着该金属层的长度而变化的一浓度轮廓，及其中该栅极堆叠在该源极区和/或该漏极区附近具有一第一有效功函数，及在朝向该沟道区的中央处具有一不同于该第一有效功函数的第二有效功函数。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||