自对准抬升外基区双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层，接着通过刻蚀形成发射区窗口，然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的基础上，对上述多层介质层进行选择性腐蚀，并在选择性腐蚀介质牺牲层后腾出的位置内利用选择性外延的方法形成抬升外基区，且通过发射区窗口介质内侧墙的隔离作用实现抬升外基区与发射区位置的自对准，从而有效地减少了器件的基极电阻，进而可改善器件的速度、频率以及噪声性能。

主权项

一种选择性外延自对准抬升外基区双极晶体管的结构，在半导体衬底上面为集电区，位于集电区上面的是基区，在基区上面形成的发射区窗口及其内侧的介质内侧墙，其特征在于，位于半导体衬底表面形成第一导电类型的Si集电区，位于集电区上面、相反的第二导电类型的Si或SiGe基区、在基区上面形成的发射区窗口及其内侧的介质内侧墙，位于基区上面、至少部分位于发射区窗口内侧墙之间的第一导电类型的多晶或单晶Si发射区，和位于基区上面、发射区窗口外面、围绕发射区窗口内侧墙并与基区相连的、相反的第二导电类型的Si或SiGe抬升外基区。