发明名称 |
晶圆型太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶圆型太阳能电池及其制造方法。本发明便于增强空穴收集效率,并通过防止入射阳光的透过率降低来提高电池效率。所述晶圆型太阳能电池包括:半导体晶圆片的第一半导体层;掺杂有P型掺杂剂的第二半导体层;掺杂有N型掺杂剂的第三半导体层;所述第二半导体层上的第一保护层;所述第三半导体层上的第二保护层;与所述第二半导体层连接的第一电极;与所述第三半导体层连接的第二电极。其中,所述第二半导体层形成于阳光照射到的所述第一半导体层的一面,所述第三半导体层形成于所述第一半导体层的另一面。 |
申请公布号 |
CN102347391A |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN201110212607.2 |
申请日期 |
2011.07.27 |
申请人 |
周星工程股份有限公司 |
发明人 |
李正贤 |
分类号 |
H01L31/06(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/06(2012.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种晶圆型太阳能电池包括:第一半导体层,由半导体晶圆片形成;第二半导体层,形成于阳光照射到的所述第一半导体层的一面,并且掺杂有P型掺杂剂;第三半导体层,形成于所述第一半导体层的另一面,并且掺杂有N型掺杂剂;第一保护层,形成于所述第二半导体层上;第二保护层,形成于所述第三半导体层上;第一电极,与所述第二半导体层相连接;以及第二电极,与所述第三半导体层相连接。 |
地址 |
韩国京畿道 |