| 发明名称 | 半导体元件及其制法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件及其制法，在该半导体元件中第一晶体管与第二晶体管形成于相同基板上。第一晶体管包括第一集极、第一基极及第一射极，其中第一集极包括第一掺杂阱位于基板中，第一基极包括第一掺杂层位于基板上并且位于第一掺杂阱上，以及第一射极包括掺杂成分位于第一掺杂层的一部分之上。第二晶体管包括第二集极、第二基极及第二射极，其中第二集极包括基板掺杂部分，第二基极包括第二掺杂阱位于基板中并且位于基板掺杂部分上，以及第二射极包括第二掺杂层位于基板上并且位于第二掺杂阱上。 | ||
| 申请公布号 | CN102347329A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201010559549.6 | 申请日期 | 2010.11.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 叶德强;张立文;曾华洲;赵治平 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I;H01L21/8228(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：一基板；一第一晶体管，包括一第一集极、一第一基极及一第一射极，其中该第一集极包括一第一掺杂阱位于该基板中，该第一基极包括一第一掺杂层位于该基板上并且位于该第一掺杂阱上，以及该第一射极包括一掺杂成分位于该第一掺杂层的一部分之上；以及一第二晶体管，包括一第二集极、一第二基极及一第二射极，其中该第二集极包括一基板掺杂部分，该第二基极包括一第二掺杂阱位于该基板中并且位于该基板掺杂部分上，以及该第二射极包括一第二掺杂层位于该基板上并且位于该第二掺杂阱上；其中该第一及第二晶体管之一为一NPN型晶体管，且另一个则为一PNP型晶体管。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||