发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT POUR DIFFUSION RAMAN EXALTEE DE SURFACE
摘要 L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat (40) pour diffusion Raman exaltée de surface, le procédé comportant les étapes suivantes : - réalisation d'une structure porteuse (2) au moins un motif microstructuré (5) comportant un sommet (8) et des parois latérales (7); - dépôt d'une multicouche (10) sur la structure porteuse (2), la multicouche (10) comportant au moins deux couches métalliques (13) et une couche intercalaire (14) disposée entre les deux couches métalliques (13), chaque couche intercalaire (14) étant réalisée dans un matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport aux couches métalliques (13); - gravure d'une partie de la multicouche (10) déposée sur le sommet (8) du motif microstructuré (5) de façon à exposer des extrémités (18, 19) de chaque couche (13, 14) de la multicouche (10); - gravure sélective des extrémités (18) des couches intercalaires (14) de façon à former des cavités (20) entre les extrémités (19) de deux couches métalliques (13) successives.
申请公布号 FR3031394(A1) 申请公布日期 2016.07.08
申请号 FR20150050009 申请日期 2015.01.05
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES 发明人 LANDIS STEFAN;REBOUD VINCENT
分类号 G01N21/65 主分类号 G01N21/65
代理机构 代理人
主权项
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