| 发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其制作方法。其中该制作方法包括下列步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍片；向所述半导体衬底的表面和鳍片顶部注入氟离子；在所述半导体衬底的表面和鳍片表面形成氧化层，鳍片两侧的半导体衬底上以及鳍片顶部的氧化层的厚度远大于鳍片两侧的氧化层的厚度；刻蚀去除鳍片两侧的氧化层。本发明能将鳍片两侧的氧化硅层去除干净，提高了晶体管的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102347349A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201010240109.4 | 申请日期 | 2010.07.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘佳;骆志炯;王鹤飞 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的鳍片，其特征在于，所述鳍片顶部及半导体衬底表面含氟离子。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||