发明名称 高电源抑制比低温飘振荡器
摘要 本发明公开一种高电源抑制比低温飘振荡器,采用CMOS加工工艺制造,由恒流恒压产生模块和振荡模块两部分组成,本发明除电源、地和一个可选的复位信号外不需外加任何信号和元件,就可以产生一个频率稳定、占空比为50%的脉冲信号,并且该信号的频率可以通过改变电路内部元器件的参数来进行调整。除了一些对频率精度要求极高的场合外,本发明在一定程度上可以替代晶体振荡器,可以方便的集成到其他电路内部使用,而不需要额外增加管脚。
申请公布号 CN102347728A 申请公布日期 2012.02.08
申请号 CN201110262060.7 申请日期 2011.09.06
申请人 无锡海威半导体科技有限公司 发明人 沈克愈
分类号 H03B5/04(2006.01)I 主分类号 H03B5/04(2006.01)I
代理机构 无锡华源专利事务所 32228 代理人 孙力坚
主权项 一种高电源抑制比低温飘振荡器,其特征在于:由恒流恒压产生模块和振荡模块连接构成;所述恒流恒压产生模块包括带隙基准电路、跟随器以及电流镜;所述带隙基准电路的输出端与跟随器的输入端连接,所述跟随器的输出端与电流镜的输入端连接;所述带隙基准电路的输出端通过电阻分压作为振荡模块中比较器的翻转电平;所述电流镜的输出作为振荡模块中产生恒定电容充电电流的电压偏置;所述振荡模块包括电容、R‑S触发器以及两个电压比较器;所述电流镜的输出对所述电容充电并连接所述电压比较器的反向端,带隙基准电路输出端的所述翻转电平连接电压比较器的同向端,所述两个电压比较器的输出被送到所述R‑S触发器,所述R‑S触发器输出振荡波形。
地址 214112 江苏省无锡市新区梅村新泰工业配套区群兴路30号