| 发明名称 | 硅的干法刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种硅的干法刻蚀方法，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀，以去除聚合物；所述进行干法刻蚀的刻蚀气体包括Cl2和O2，其中：所述Cl2的流量速率范围包括60sccm～150sccm；所述O2的流量速率范围包括5sccm～20sccm。本发明可以使得位于硅下表面的刻蚀停止层的表面平整光滑。 | ||
| 申请公布号 | CN102347232A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201110300744.1 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张振兴;奚裴 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅的干法刻蚀方法，其特征在于，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||