发明名称 |
成膜方法和成膜装置 |
摘要 |
本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置,该成膜装置包括:处理容器;原料气体供给系统,其具有第1开闭阀,能向处理容器内供给原料气体;反应气体供给系统,其具有第2开闭阀,能向处理容器内供给反应气体;真空排气系统,其具有第3开闭阀,能将处理容器内的气氛气体排成而成为真空,其中,吸附工序和反应工序存在间歇期间地交替反复多次,该吸附工序为,关闭第3开闭阀,打开第1开闭阀规定期间,向处理容器供给原料气体之后,将其关闭,保持该状态规定期间,使原料气体吸附于被处理体的表面;该反应工序为,打开第2开闭阀,向处理容器内供给反应气体,使反应气体与原料气体反应而形成薄膜。 |
申请公布号 |
CN102345111A |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN201110217038.0 |
申请日期 |
2011.07.29 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
池内俊之;周保华;山本和弥;世良贤太郎 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种成膜方法,使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜,该被处理体的表面形成有含有金属的膜,该成膜装置包括:处理容器,其能收容上述被处理体;原料气体供给系统,其具有第1开闭阀,能向上述处理容器内供给原料气体;反应气体供给系统,其具有第2开闭阀,能向上述处理容器内供给反应气体;真空排气系统,其具有第3开闭阀,能将上述处理容器内的气氛排成真空,其特征在于,在吸附工序和反应工序之间存在间歇期间地交替反复多次该吸附工序和反应工序,该吸附工序为,关闭上述真空排气系统的上述第3开闭阀,打开上述原料气体供给系统的上述第1开闭阀第1规定期间,向上述处理容器供给上述原料气体之后,关闭该第1开闭阀,在保持上述第1开闭阀关闭第2规定期间的状态下,使上述处理容器内的上述原料气体吸附于上述被处理体的表面;该反应工序为,打开上述反应气体供给系统的上述第2开闭阀,向上述处理容器内供给上述反应气体,使上述反应气体与上述原料气体发生反应而形成薄膜。 |
地址 |
日本东京都 |