| 发明名称 | 铝铜锑相变薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种铝铜锑相变薄膜及其制备方法，该相变薄膜的成分为AlxCuySbz，其中：x的取值范围为1-10at%，y的取值范围为在1-40at%，z的取值范围为在60-98at%，该铝铜锑薄膜（3）是利用磁控溅射薄膜制备设备，经过AlCu合金靶和Sb靶共溅在清洁的基片（1）上制备的，所述的铝铜锑薄膜（3）的厚度为5-500nm。本发明铝铜锑相变薄膜具有较快的相变速度和较高的反射率对比度。 | ||
| 申请公布号 | CN102347444A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN201110204069.2 | 申请日期 | 2011.07.21 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 梁广飞;王阳;吴谊群 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 一种铝铜锑相变薄膜，其特征在于该相变薄膜的成分为AlxCuySbz ，其中：x的取值范围为1 10 at%，y的取值范围为在1 40 at%，z的取值范围为在60 98 at%，该铝铜锑薄膜（3）是利用磁控溅射薄膜制备设备，经过AlCu合金靶和Sb靶共溅在清洁的基片（1）上制备的，所述的铝铜锑薄膜（3）的厚度为5 500nm。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区800－211邮政信箱 | ||