防止半导体器件退化的方法、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及防止半导体器件退化的方法、半导体器件及其制造方法。提供一种用于防止半导体器件电特征劣化的方法。该方法包括：提供具有形成电介质-半导体界面的第一半导体区和带电的电介质层的半导体器件。第一半导体区的多数载流子具有第一电荷类型。带电的电介质层包括第一电荷类型的固定电荷。固定电荷的单位面积载流子密度被配置，使得带电的电介质层相对于并入在第一半导体区中生成的热的多数载流子而被屏蔽。此外，提供一种免受热载流子影响的半导体器件和一种用于构造半导体器件的方法。此外，给出了分别具有带有负固定电荷的介电层的功率半导体器件和垂直半导体晶体管，以及给出了一种针对这样的器件借助原子层沉积的制造方法。

主权项

一种用于防止半导体器件（100，107，200，201，250，300，400，401，402，403）电特征劣化的方法，该方法包括：提供半导体器件（100，107，200，201，207，250，300，400，401，402，403），所述半导体器件（100，107，200，201，207，250，300，400，401，402，403）包括第一半导体区（1）和带电的电介质层（30，31，32，33），所述第一半导体区（1）和带电的电介质层（30，31，32，33）形成电介质 半导体界面（25），其中第一半导体区（1）包括第一电荷类型的多数载流子，而带电的电介质层（30，31，32，33）包括第一电荷类型的固定电荷；以及配置固定电荷的单位面积载流子密度，使得带电的电介质层（30，31，32，33）不受并入在第一半导体区中生成的热的多数载流子的影响。