主权项 |
一种用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路,其特征是所述电路包括:交叉耦合型灵敏放大器(101)、第一电流镜(102)、第二电流镜(103)、第一电压电流转换PMOS管(104)、第二电压电流转换PMOS管(105)、第三电压电流转换PMOS管(106)、交叉耦合型灵敏放大器控制管(107)、第一预放电NMOS管(108)、第二预放电NMOS管(109)、反馈NMOS管(110)、第一电压电流转换PMOS管的使能管(111)、第二电压电流转换PMOS管的使能管(112)和第三电压电流转换PMOS管的使能管(113);所述交叉耦合型灵敏放大器(101)的输入端sen和输入端senb分别接第一电流镜(102)和第二电流镜(103)的输出端;所述第一电流镜(102)输入端接第一电压电流转换PMOS管(104)的漏极;所述第二电流镜(103)输入端接第二电压电流转换PMOS管(105)和第三电压电流转换PMOS管(106)的漏极;所述第一电压电流转换PMOS管(104)的栅极接存储单元(D)的位线(BL);第二电压电流转换PMOS管(105)的栅极接参考单元(1)的位线(RBL);第三电压电流转换PMOS管(106)的栅极接参考单元(0)的位线(/RBL);所述第一电压电流转换PMOS管的使能管(111)、第二电压电流转换PMOS管的使能管(112)和第三电压电流转换PMOS管的使能管(113)的栅极接(sdn)控制信号;所述第一电压电流转换PMOS管的使能管(111)的漏极接第一电压电流转换PMOS管(104)的栅极;所述第二电压电流转换PMOS管的使能管(112)的漏极接第二电压电流转换PMOS管(105)的栅极;所述第三电压电流转换PMOS管的使能管(113)的漏极接第三电压电流转换PMOS管(106)的栅极;所述交叉耦合型灵敏放大器控制管(107)的栅极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的使能信号(sapn),漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的供电端;所述第一预放电NMOS管(108)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的输出端(sen),第二预放电NMOS管(109)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的输出端(senb);第一预放电NMOS管(108)的栅极和第二预放电NMOS管(109)的栅极接(pre)控制信号。所述反馈NMOS管(110)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的电流输入端,栅极直接接存储单元(D)。 |