发明名称 |
一种高介电聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及到一种高介电聚偏氟乙烯复合材料的制备方法,其特征在于包括下述步骤:①将PVDF粉末和粒径为200-600nm的Ni粉,混合后放入球磨机中球磨10-24h,制得Ni体积分数为5%-10%的均匀混合的粉体;将混合粉体放入压片机模具中在1-10MPa的条件下冷压形成具有一定厚度的PVDF/Ni复合材料薄片;②将步骤①中制得的PVDF/Ni复合材料薄片放入磁场强度为0.1-1T的回形磁钢气隙中,并同时在温度为180-200℃的烘箱内保温30-180min,随炉冷却后得到具有高介电的PVDF/Ni复合材料。本发明在Ni含量远低于渗流阈值的情况下实现了渗流效应,得到了高介电性能的PVDF/Ni介电复合材料,并能保持聚合物基体所具有的优良机械性质;制备方法简单,成本低。 |
申请公布号 |
CN101885886B |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN201010205705.9 |
申请日期 |
2010.06.18 |
申请人 |
宁波大学 |
发明人 |
余立架;李伟平;诸跃进;罗来慧 |
分类号 |
C08L27/16(2006.01)I;C08K3/08(2006.01)I;B29C43/58(2006.01)I |
主分类号 |
C08L27/16(2006.01)I |
代理机构 |
宁波诚源专利事务所有限公司 33102 |
代理人 |
袁忠卫 |
主权项 |
一种高介电聚偏氟乙烯复合材料的制备方法,其特征在于包括下述步骤:①将PVDF粉末和粒径为200‑600nm的Ni粉,混合后放入球磨机中球磨10‑24h,制得Ni体积分数为5%‑10%的均匀混合的粉体;将混合均匀的粉体放入压片机模具中在1‑10MPa的条件下冷压形成具有一定厚度的PVDF/Ni复合材料薄片;②将步骤①中制得的PVDF/Ni复合材料薄片放入磁场强度为0.1‑1T的回形磁钢气隙中,并同时在温度为180‑200℃的烘箱内保温30‑180min,随炉温冷却至室温后得到具有高介电性能的PVDF/Ni复合材料。 |
地址 |
315211 浙江省宁波市镇海区风华路818号宁波大学理学院 |