| 发明名称 |
RESISTIVE MEMORY AND METHOD |
| 摘要 |
A memory device includes a multi gate field effect transistor (MuGFET) having a fin with a contact area. A programmable memory element abuts the fin contact area. |
| 申请公布号 |
US2012026781(A1) |
申请公布日期 |
2012.02.02 |
| 申请号 |
US201113270592 |
申请日期 |
2011.10.11 |
| 申请人 |
PACHA CHRISTIAN;SCHOENAUER TIM;KUND MICHAEL;INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
PACHA CHRISTIAN;SCHOENAUER TIM;KUND MICHAEL |
| 分类号 |
G11C11/00 |
主分类号 |
G11C11/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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