Halbleiterbauelement mit nicht-isolierenden verspannten Materialschichten in einer Kontaktebene und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Halbleiterbauelement (200) mit: einem Schaltungselement (250A), das in und über einem Halbleitergebiet (202A) ausgebildet ist und das ein Kontaktgebiet (255) aufweist; einer Zwischenschicht (260), die über dem Halbleitergebiet (202A) gebildet ist und eine verformungsinduzierende nicht-isolierende Materialschicht (263) und ein dielektrisches Material aufweist, wobei die verformungsinduzierende nicht-isolierende Materialschicht (263) eine Verformung in dem Halbleitergebiet (202A) hervorruft; und einem Kontaktelement (265), das sich durch die Zwischenschicht (260) erstreckt und mit dem Kontaktgebiet (255) verbunden ist; wobei das dielektrische Material der Zwischenschicht (260) eine erste dielektrische Schicht (261) und eine zweite dielektrische Schicht (262), die über der ersten dielektrischen Schicht (261) gebildet ist, aufweist und wobei die verformungsinduzierende nicht-isolierende Materialschicht (263) zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht gebildet ist; wobei das Halbleiterbauelement (200) ferner einen dielektrischen Abstandshalter (252) aufweist, der zumindest lateral zwischen dem Kontaktelement (265) und der verformungsinduzierenden nicht-isolierenden Materialschicht (263) gebildet...