摘要 |
Piezoelektrische Stapelstruktur (1), welche durch abwechselndes Stapeln einer piezoelektrischen Schicht (111, 112), die PZT (Blei-Zirkonat-Titanat) umfasst, und einer inneren Elektrodenschicht (121, 122), erhalten wird, wobei der Korngrenzenfüllfaktor der Stapelstruktur eines Pb-basierten Glases (32) in der Kristallkorngrenze (310) der piezoelektrischen Schicht (111, 112) 95% oder mehr beträgt, wobei der Korngrenzenfüllfaktor der Stapelstruktur ein Mittelwert der Korngrenzenfüllfaktoren von Kristallkörnern ist, die jeweils durch Teilen der Korngrenzenlänge (31) des Abschnitts, in dem das Pb-basierte Glas (32) an der Grenzfläche des jeweiligen Kristallkorns (31) anhaftet, durch die gesamte Korngrenzenlänge (J) des jeweiligen Kristallkorns (31) erhalten werden, beobachtet über jeweils zwei Kristallkörner von drei Bruchflächen der piezoelektrischen Stapelstruktur (1) in dem Bereich, an dem ein elektrisches Feld angelegt ist, und wobei die Piezoelektrische Stapelstruktur (1) innere Elektrodenschichten (121, 122) aufweist, die jeweils mit Ausnahme eines zu einer der Seitenflächen des Stapelelements liegenden Abschnitts (110) bereitgestellt sind, und diese Abschnitte (110) aufeinander folgend... |