摘要 |
Verfahren zum Herstellen einer Versorgungsplatte für elektrochemische Systeme (1), wobei zwei Grundplatten (2a, 2b) unter Verwendung eines Fügemittels (3) thermisch miteinander verbunden werden und wobei dieses Fügemittel (3) einen niedrigeren Schmelzpunkt als das Material der Grundplatten (2a, 2b) aufweist, wobei mindestens eine erste Grundplatte (2a) Taschen (4a) enthält, in welche Fügemittel eingebracht wird und anschließend die zweite Grundplatte (2b) auf eine Fügeebene (7) der ersten Grundplatte (2a) aufgelegt wird und durch Hitzeeinwirkung auf das Fügemittel eine Verbindung der Grundplatten (2a, 2b) erfolgt, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge (l) der Taschen (4a') in der Fügeebene (F) 0,5 bis 20 mm und die Breite (b) der Taschen (4a') 0,1 bis 20 mm beträgt. |