Verfahren zum Steuern der kritischen Abmessungen von Gräben in einem Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements während des Ätzens einer Ätzstoppschicht

摘要

Bei der Herstellung von Metallleitungen und Kontaktdurchführungen in komplexen Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen wird ein zusätzlicher Steuerungsmechanismus zum Einstellen der endgültigen kritischen Abmessungen in dem letzten Ätzprozess zum Ätzen der Ätzstoppschicht eingerichtet, nachdem das dielektrische Material mit kleinemεstrukturiert ist. Dazu wird die Konzentration eines polymerisierenden Gases gemäß der anfänglichen kritischen Abmessung, die nach dem Lithographieprozess erreicht wird, gesteuert, wodurch die endgültige kritische Abmessung effizient so eingestellt wird, dass diese nahe an dem gewünschten Sollwert liegt.