发明名称 Substrat-Bearbeitungs-Vorrichtung
摘要 Eine Substratbearbeitungsvorrichtung umfasst eine Substratbühne zur Anbringung von zwei oder mehr Sueinheiten. Jede der Substratbühneneinheiten umfasst einen mittleren Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines mittleren Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern, und einen umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung, um die Temperatur eines umfänglichen Abschnitts eines jeden der Substrate zu steuern. Der mittlere Fließweg zur Temperatursteuerung und der umfängliche Fließweg zur Temperatursteuerung sind voneinander unabhängig gebildet. Die Substratbühne umfasst eine Temperatursteuerungsmedium-Einlassöffnung, um ein Temperatursteuerungsmedium in den umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung einzubringen, und Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen, um das Temperatursteuerungsmedium aus dem umfänglichen Fließweg zur Temperatursteuerung abzugeben. Die Anzahl der Temperatursteuerungsmedium-Auslassöffnungen entspricht der Anzahl der Substrate.
申请公布号 DE102011108634(A1) 申请公布日期 2012.02.02
申请号 DE201110108634 申请日期 2011.06.30
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 ODAGIRI, MASAYA;MURAKI, YUSUKE;FUJIHARA, JIN
分类号 H01J37/20;C23C14/50;C23C16/458 主分类号 H01J37/20
代理机构 代理人
主权项
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