| 摘要 |
本发明系在具有区分为偶数像素列与奇数像素列配置而成之像素阵列部(12)之CMOS影像感测器(image sensor)(10)中，在较长之蓄积时间之even像素之曝光开始部分进行较短之蓄积时间之odd像素之读取。藉此，即使even像素饱和而信号电荷从该even像素溢出，且其一部分进入与even像素相邻接之odd像素，由于odd像素之读取动作已经终止，因此亦可排除因为even像素饱和之际之溢位(blooming)对于odd像素之信号之影响。当采用使蓄积时间在邻接像素间不同之广泛动态范围(dynamic range)化之手法之际，将排除因为溢位对于低灵敏度信号之影响。 |
