摘要 |
半导体元件的制造方法包括形成一个光阻薄膜84于一个基体10之上的步骤、把互连线图案曝光到该光阻薄膜84的步骤、把数个位于该等互连线图案之末端或者弯曲部份之孔洞的孔洞图案曝光到该光阻薄膜84的步骤,要连接到该等互连线图案的孔洞是要形成在该等末端或者弯曲部份、及把被曝光有该等互连线图案和该等孔洞图案之光阻薄膜84显影的步骤。因此,在该等图案之末端或者弯曲部份之因光学临近效应而起的不适足曝光能量是被补偿俾可防止在该等图案末端的紧缩或者在该等图案弯曲部份的圆化。与连接到该等图案末端或者该等图案弯曲部份之接触插塞的接触能够被保证。 |