发明名称 高功率发光二极体装置
摘要 本创作提供一种高功率发光二极体装置,包括有:一金属基板、一电路层体、复数个复合焊接体、复数个发光二极体晶粒、一矽胶部以及一挡胶部。该金属基板具有涂布有一预镀材层之一置晶区。该电路层体与该金属基板相连接,该电路层体具有一通孔以及一阻隔区,该通孔其系对应该置晶区,该阻隔区其系将该电路层体分隔成一第一电极以及一第二电极。该复合焊接体更包括有一撑离垫体以及一接连垫体,该复合焊接体位于该通孔中,且与该预镀材层相连接。复数个发光二极体晶粒一一与复数个复合焊接体相对应连接,且与该电路层体之表面相距一距离。该挡胶部具有一容置空间,该挡胶部贴靠连接该电路层体,且使复数个复合焊接体以及复数个发光二极体晶粒位于该容置空间中。该矽胶部位于该容置空间中,该矽胶部具有一折射曲面。
申请公布号 TWM422166 申请公布日期 2012.02.01
申请号 TW100219514 申请日期 2011.10.18
申请人 金绽科技股份有限公司 新北市中和区中山路2段362之3号8楼 发明人 姜正廉
分类号 H01L33/48 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市中和区中山路2段362之3号8楼