| 发明名称 | 平面型硅压力传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种平面型硅压力传感器，其由下至上依次为：硅衬底、氮化膜、硅传感薄膜、密封氮化膜；在部分硅衬底和部分氮化膜内设有一个空腔；在硅传感薄膜内设有释放孔，该释放孔与空腔垂直连通。此外，本发明还公开了上述平面型硅压力传感器的制造方法。本发明平面型硅压力传感器的释放孔开在硅传感薄膜的内部，并与空腔结构垂直连通，无需定锚的支撑，力学性能更加稳定，有利于湿法刻蚀氧化膜牺牲层的去除，工艺简单、成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102338681A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201010239737.0 | 申请日期 | 2010.07.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 程晓华;方精训;彭仕敏;金峰;刘远良;邓镭 |
| 分类号 | G01L9/04(2006.01)I;G01L1/16(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | G01L9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种平面型硅压力传感器，其特征在于，其由下至上依次为：硅衬底、氮化膜、硅传感薄膜、密封氮化膜；在部分硅衬底和部分氮化膜内设有一个空腔；在硅传感薄膜内设有释放孔，该释放孔与空腔垂直连通。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||