| 发明名称 | 一种界面优化的锗基半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了界面优化的锗基半导体器件及其制造方法，通过在锗基衬底上形成具有高的热稳定性的优化界面层，而后在其上形成半导体器件，由于优化界面层具有更高的热稳定性，且与高k栅介质具有好的兼容性，从而有效提高了器件界面热稳定性，此外还降低了界面电荷和界面态。 | ||
| 申请公布号 | CN102339736A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201010232705.8 | 申请日期 | 2010.07.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王文武;韩锴;王晓磊;马雪丽;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种形成界面优化的锗基半导体器件的方法，所述方法包括：提供锗基衬底；在所述锗基衬底上形成优化界面层；在所述优化界面层上形成半导体器件。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||