成膜方法与成膜装置

摘要

在沉积室中的衬底上执行成膜过程。第一电极设置在沉积室中并接地。在沉积室中设置面对第一电极的第二电极。射频电源向第二电极提供射频功率。DC电源向第二电极提供DC偏压电压。控制单元调节偏压电压以使其小于在提供射频功率但没有提供偏压电压时第二电极的电位。以此方式，有可能在防止沉积过程中膜沉积速率减小的同时改进膜质量。

主权项

一种成膜方法，包括：将设置于沉积室中的第一电极接地；在第一电极上设置衬底；向设置于沉积室中并面对第一电极的第二电极供应射频功率和偏压电压，藉此通过等离子体CVD在衬底上形成膜；和当供应射频功率和偏压电压时，将第二电极的平均电位调节成小于供应射频功率但不供应偏压电压时的第二电极的平均电位。