发明名称 |
存储单元电路 |
摘要 |
本发明涉及存储单元电路包括:存储数据“1”或“0”的存储单元;和每一个将所述存储单元与位线相连接的多个访问晶体管,所述晶体管相互并联。 |
申请公布号 |
CN101127236B |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN200710161951.7 |
申请日期 |
2003.01.10 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
近藤哲二郎;市川勉;野出泰史 |
分类号 |
G11C8/14(2006.01)I;G11C11/417(2006.01)I |
主分类号 |
G11C8/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种存储单元块,包括:多条位线;接收参考数据的参考数据输入线,所述参考数据输入线与所述多条位线垂直相交或沿着所述多条位线平行延伸;多个存储器单元;其中所述多个存储器单元每个包括:存储数据“1”或“0”的存储单元;接收所述参考数据的参考数据输入单元,所述参考数据输入单元与所述参考数据输入线相连接;每一个将所述存储单元与位线相连接的多个访问晶体管,所述晶体管相互并联;以及运算功能单元,用于使用在所述存储单元中存储的存储数据和从所述参考数据输入单元接收的参考数据来进行逻辑运算。 |
地址 |
日本东京都 |